Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFX360N10T

IXFX360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
номер части
IXFX360N10T
Производитель/Бренд
Ряд
GigaMOS™ HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
PLUS247™-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
1250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
360A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
525nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
33000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47954 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFX360N10T
IXFX360N10T Электронные компоненты
IXFX360N10T Продажи
IXFX360N10T Поставщик
IXFX360N10T Распределитель
IXFX360N10T Таблица данных
IXFX360N10T Фото
IXFX360N10T Цена
IXFX360N10T Предложение
IXFX360N10T Низшая цена
IXFX360N10T Поиск
IXFX360N10T Покупка
IXFX360N10T Chip