Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTA08N100P

IXTA08N100P

MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
номер части
IXTA08N100P
Производитель/Бренд
Ряд
Polar™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (IXTA)
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
800mA (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
240pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 44163 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTA08N100P
IXTA08N100P Электронные компоненты
IXTA08N100P Продажи
IXTA08N100P Поставщик
IXTA08N100P Распределитель
IXTA08N100P Таблица данных
IXTA08N100P Фото
IXTA08N100P Цена
IXTA08N100P Предложение
IXTA08N100P Низшая цена
IXTA08N100P Поиск
IXTA08N100P Покупка
IXTA08N100P Chip