Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTA1N120P

IXTA1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
номер части
IXTA1N120P
Производитель/Бренд
Ряд
PolarVHV™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (IXTA)
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
550pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 13555 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTA1N120P
IXTA1N120P Электронные компоненты
IXTA1N120P Продажи
IXTA1N120P Поставщик
IXTA1N120P Распределитель
IXTA1N120P Таблица данных
IXTA1N120P Фото
IXTA1N120P Цена
IXTA1N120P Предложение
IXTA1N120P Низшая цена
IXTA1N120P Поиск
IXTA1N120P Покупка
IXTA1N120P Chip