Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
номер части
IXTA1N200P3HV
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (IXTA)
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
2000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
646pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32658 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Электронные компоненты
IXTA1N200P3HV Продажи
IXTA1N200P3HV Поставщик
IXTA1N200P3HV Распределитель
IXTA1N200P3HV Таблица данных
IXTA1N200P3HV Фото
IXTA1N200P3HV Цена
IXTA1N200P3HV Предложение
IXTA1N200P3HV Низшая цена
IXTA1N200P3HV Поиск
IXTA1N200P3HV Покупка
IXTA1N200P3HV Chip