Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
номер части
IXTA3N100D2
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (IXTA)
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
Depletion Mode
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1020pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
-
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22366 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTA3N100D2
IXTA3N100D2 Электронные компоненты
IXTA3N100D2 Продажи
IXTA3N100D2 Поставщик
IXTA3N100D2 Распределитель
IXTA3N100D2 Таблица данных
IXTA3N100D2 Фото
IXTA3N100D2 Цена
IXTA3N100D2 Предложение
IXTA3N100D2 Низшая цена
IXTA3N100D2 Поиск
IXTA3N100D2 Покупка
IXTA3N100D2 Chip