Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

MOSFET N-CH
номер части
IXTA3N100D2HV
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263HV
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
Depletion Mode
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tj)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1020pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
0V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42704 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV Электронные компоненты
IXTA3N100D2HV Продажи
IXTA3N100D2HV Поставщик
IXTA3N100D2HV Распределитель
IXTA3N100D2HV Таблица данных
IXTA3N100D2HV Фото
IXTA3N100D2HV Цена
IXTA3N100D2HV Предложение
IXTA3N100D2HV Низшая цена
IXTA3N100D2HV Поиск
IXTA3N100D2HV Покупка
IXTA3N100D2HV Chip