Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH
номер части
IXTF6N200P3
Производитель/Бренд
Ряд
Polar™
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Пакет устройств поставщика
ISOPLUS i4-PAC™
Рассеиваемая мощность (макс.)
215W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
2000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
143nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3700pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9127 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTF6N200P3
IXTF6N200P3 Электронные компоненты
IXTF6N200P3 Продажи
IXTF6N200P3 Поставщик
IXTF6N200P3 Распределитель
IXTF6N200P3 Таблица данных
IXTF6N200P3 Фото
IXTF6N200P3 Цена
IXTF6N200P3 Предложение
IXTF6N200P3 Низшая цена
IXTF6N200P3 Поиск
IXTF6N200P3 Покупка
IXTF6N200P3 Chip