Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTH10N100D2

IXTH10N100D2

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
номер части
IXTH10N100D2
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247
Рассеиваемая мощность (макс.)
695W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
Depletion Mode
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
200nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5320pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8824 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 Электронные компоненты
IXTH10N100D2 Продажи
IXTH10N100D2 Поставщик
IXTH10N100D2 Распределитель
IXTH10N100D2 Таблица данных
IXTH10N100D2 Фото
IXTH10N100D2 Цена
IXTH10N100D2 Предложение
IXTH10N100D2 Низшая цена
IXTH10N100D2 Поиск
IXTH10N100D2 Покупка
IXTH10N100D2 Chip