Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTH12N100L

IXTH12N100L

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
номер части
IXTH12N100L
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247 (IXTH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
400W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
155nC @ 20V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
20V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31234 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTH12N100L
IXTH12N100L Электронные компоненты
IXTH12N100L Продажи
IXTH12N100L Поставщик
IXTH12N100L Распределитель
IXTH12N100L Таблица данных
IXTH12N100L Фото
IXTH12N100L Цена
IXTH12N100L Предложение
IXTH12N100L Низшая цена
IXTH12N100L Поиск
IXTH12N100L Покупка
IXTH12N100L Chip