Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTH3N100P

IXTH3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
номер части
IXTH3N100P
Производитель/Бренд
Ряд
PolarVHV™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247 (IXTH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
39nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1100pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 44757 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTH3N100P
IXTH3N100P Электронные компоненты
IXTH3N100P Продажи
IXTH3N100P Поставщик
IXTH3N100P Распределитель
IXTH3N100P Таблица данных
IXTH3N100P Фото
IXTH3N100P Цена
IXTH3N100P Предложение
IXTH3N100P Низшая цена
IXTH3N100P Поиск
IXTH3N100P Покупка
IXTH3N100P Chip