Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTH3N120

IXTH3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
номер части
IXTH3N120
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247 (IXTH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
39nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1300pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28586 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTH3N120
IXTH3N120 Электронные компоненты
IXTH3N120 Продажи
IXTH3N120 Поставщик
IXTH3N120 Распределитель
IXTH3N120 Таблица данных
IXTH3N120 Фото
IXTH3N120 Цена
IXTH3N120 Предложение
IXTH3N120 Низшая цена
IXTH3N120 Поиск
IXTH3N120 Покупка
IXTH3N120 Chip