Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTN200N10T

IXTN200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
номер части
IXTN200N10T
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchMV™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
550W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
200A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
152nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
9400pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25396 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTN200N10T
IXTN200N10T Электронные компоненты
IXTN200N10T Продажи
IXTN200N10T Поставщик
IXTN200N10T Распределитель
IXTN200N10T Таблица данных
IXTN200N10T Фото
IXTN200N10T Цена
IXTN200N10T Предложение
IXTN200N10T Низшая цена
IXTN200N10T Поиск
IXTN200N10T Покупка
IXTN200N10T Chip