Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTP1N100P

IXTP1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
номер части
IXTP1N100P
Производитель/Бренд
Ряд
Polar™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
331pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6378 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTP1N100P
IXTP1N100P Электронные компоненты
IXTP1N100P Продажи
IXTP1N100P Поставщик
IXTP1N100P Распределитель
IXTP1N100P Таблица данных
IXTP1N100P Фото
IXTP1N100P Цена
IXTP1N100P Предложение
IXTP1N100P Низшая цена
IXTP1N100P Поиск
IXTP1N100P Покупка
IXTP1N100P Chip