Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTP8N65X2M

IXTP8N65X2M

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
номер части
IXTP8N65X2M
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 38706 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M Электронные компоненты
IXTP8N65X2M Продажи
IXTP8N65X2M Поставщик
IXTP8N65X2M Распределитель
IXTP8N65X2M Таблица данных
IXTP8N65X2M Фото
IXTP8N65X2M Цена
IXTP8N65X2M Предложение
IXTP8N65X2M Низшая цена
IXTP8N65X2M Поиск
IXTP8N65X2M Покупка
IXTP8N65X2M Chip