Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTQ130N10T

IXTQ130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
номер части
IXTQ130N10T
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchMV™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
130A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
104nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5080pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9105 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTQ130N10T
IXTQ130N10T Электронные компоненты
IXTQ130N10T Продажи
IXTQ130N10T Поставщик
IXTQ130N10T Распределитель
IXTQ130N10T Таблица данных
IXTQ130N10T Фото
IXTQ130N10T Цена
IXTQ130N10T Предложение
IXTQ130N10T Низшая цена
IXTQ130N10T Поиск
IXTQ130N10T Покупка
IXTQ130N10T Chip