Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
номер части
IXTY1R4N60P
Производитель/Бренд
Ряд
PolarHV™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252, (D-Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
140pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54580 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Электронные компоненты
IXTY1R4N60P Продажи
IXTY1R4N60P Поставщик
IXTY1R4N60P Распределитель
IXTY1R4N60P Таблица данных
IXTY1R4N60P Фото
IXTY1R4N60P Цена
IXTY1R4N60P Предложение
IXTY1R4N60P Низшая цена
IXTY1R4N60P Поиск
IXTY1R4N60P Покупка
IXTY1R4N60P Chip