Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFH12N50F

IXFH12N50F

MOSFET N-CH 500V 12A TO247
номер части
IXFH12N50F
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerRF™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247 (IXFH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
54nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1870pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 18562 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFH12N50F
IXFH12N50F Электронные компоненты
IXFH12N50F Продажи
IXFH12N50F Поставщик
IXFH12N50F Распределитель
IXFH12N50F Таблица данных
IXFH12N50F Фото
IXFH12N50F Цена
IXFH12N50F Предложение
IXFH12N50F Низшая цена
IXFH12N50F Поиск
IXFH12N50F Покупка
IXFH12N50F Chip