Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFH6N100F

IXFH6N100F

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
номер части
IXFH6N100F
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerRF™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247 (IXFH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
54nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1770pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 46119 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFH6N100F
IXFH6N100F Электронные компоненты
IXFH6N100F Продажи
IXFH6N100F Поставщик
IXFH6N100F Распределитель
IXFH6N100F Таблица данных
IXFH6N100F Фото
IXFH6N100F Цена
IXFH6N100F Предложение
IXFH6N100F Низшая цена
IXFH6N100F Поиск
IXFH6N100F Покупка
IXFH6N100F Chip