Купить Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

номер части

APT25GP120BDQ1G

Производитель/Бренд

Microsemi Corporation

Ряд

POWER MOS 7®

Статус детали

Active

Упаковка

Tube

Тип ввода

Standard

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет/кейс

TO-247-3

Мощность - Макс.

417W

Пакет устройств поставщика

TO-247 [B]

Время обратного восстановления (trr)

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

69A

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200V

Тип БТИЗ

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Ток-коллекторный импульсный (Icm)

90A

Переключение энергии

500µJ (on), 440µJ (off)

Заряд от ворот

110nC

Td (вкл/выкл) при 25°C

12ns/70ns

Условия испытания

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 45063 PCS

Контактная информация