Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
APTC60DAM35T1G

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1
номер части
APTC60DAM35T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Bulk
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SP1
Пакет устройств поставщика
SP1
Рассеиваемая мощность (макс.)
416W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
72A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 5.4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
518nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
14000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25844 PCS
Контактная информация
Ключевые слова APTC60DAM35T1G
APTC60DAM35T1G Электронные компоненты
APTC60DAM35T1G Продажи
APTC60DAM35T1G Поставщик
APTC60DAM35T1G Распределитель
APTC60DAM35T1G Таблица данных
APTC60DAM35T1G Фото
APTC60DAM35T1G Цена
APTC60DAM35T1G Предложение
APTC60DAM35T1G Низшая цена
APTC60DAM35T1G Поиск
APTC60DAM35T1G Покупка
APTC60DAM35T1G Chip