Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
номер части
APTM100DA18T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Bulk
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SP1
Пакет устройств поставщика
SP1
Рассеиваемая мощность (макс.)
657W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
40A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
570nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
14800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42597 PCS
Контактная информация
Ключевые слова APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Электронные компоненты
APTM100DA18T1G Продажи
APTM100DA18T1G Поставщик
APTM100DA18T1G Распределитель
APTM100DA18T1G Таблица данных
APTM100DA18T1G Фото
APTM100DA18T1G Цена
APTM100DA18T1G Предложение
APTM100DA18T1G Низшая цена
APTM100DA18T1G Поиск
APTM100DA18T1G Покупка
APTM100DA18T1G Chip