Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
номер части
APTM100H45FT3G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Bulk
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SP3
Мощность - Макс.
357W
Пакет устройств поставщика
SP3
Тип полевого транзистора
4 N-Channel (H-Bridge)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V (1kV)
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
18A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
154nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4350pF @ 25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6934 PCS
Контактная информация
Ключевые слова APTM100H45FT3G
APTM100H45FT3G Электронные компоненты
APTM100H45FT3G Продажи
APTM100H45FT3G Поставщик
APTM100H45FT3G Распределитель
APTM100H45FT3G Таблица данных
APTM100H45FT3G Фото
APTM100H45FT3G Цена
APTM100H45FT3G Предложение
APTM100H45FT3G Низшая цена
APTM100H45FT3G Поиск
APTM100H45FT3G Покупка
APTM100H45FT3G Chip