Купить Microsemi Corporation APTM120DA56T1G MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

APTM120DA56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

номер части

APTM120DA56T1G

Производитель/Бренд

Microsemi Corporation

Ряд

Статус детали

Obsolete

Упаковка

Bulk

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

SP1

Пакет устройств поставщика

SP1

Рассеиваемая мощность (макс.)

390W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

1200V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

18A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

672 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

5V @ 2.5mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

300nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

7736pF @ 25V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±30V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 16443 PCS

Контактная информация