Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
DFE252012F-R33M=P2

DFE252012F-R33M=P2

FIXED IND 330NH 5.1A 19 MOHM
номер части
DFE252012F-R33M=P2
Производитель/Бренд
Ряд
DFE252012F
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C
Рейтинги
-
Тип монтажа
Surface Mount
Размер / Размер
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Высота - сидя (макс.)
0.047" (1.20mm)
Толерантность
±20%
Функции
-
Пакет/кейс
1008 (2520 Metric)
Тип
-
Частота - Саморезонансная
-
Текущий рейтинг
5.1A
Экранирование
Shielded
Пакет устройств поставщика
-
Индуктивность
330nH
Материал - ядро
Powdered Iron
Ток – насыщение
8.5A
Сопротивление постоянному току (DCR)
19 mOhm Max
Вопрос @ Частота
-
Частота индуктивности — проверка
1MHz
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21458 PCS
Контактная информация
Ключевые слова DFE252012F-R33M=P2
DFE252012F-R33M=P2 Электронные компоненты
DFE252012F-R33M=P2 Продажи
DFE252012F-R33M=P2 Поставщик
DFE252012F-R33M=P2 Распределитель
DFE252012F-R33M=P2 Таблица данных
DFE252012F-R33M=P2 Фото
DFE252012F-R33M=P2 Цена
DFE252012F-R33M=P2 Предложение
DFE252012F-R33M=P2 Низшая цена
DFE252012F-R33M=P2 Поиск
DFE252012F-R33M=P2 Покупка
DFE252012F-R33M=P2 Chip