Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ

MOSFET N-CH 100V D2PAK
номер части
PSMN4R8-100BSEJ
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
405W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tj)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
278nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
14400pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41329 PCS
Контактная информация
Ключевые слова PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ Электронные компоненты
PSMN4R8-100BSEJ Продажи
PSMN4R8-100BSEJ Поставщик
PSMN4R8-100BSEJ Распределитель
PSMN4R8-100BSEJ Таблица данных
PSMN4R8-100BSEJ Фото
PSMN4R8-100BSEJ Цена
PSMN4R8-100BSEJ Предложение
PSMN4R8-100BSEJ Низшая цена
PSMN4R8-100BSEJ Поиск
PSMN4R8-100BSEJ Покупка
PSMN4R8-100BSEJ Chip