Купить NXP USA Inc. 1N4448,143 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

1N4448,143

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

номер части

1N4448,143

Производитель/Бренд

NXP USA Inc.

Ряд

Статус детали

Obsolete

Упаковка

Tape & Box (TB)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет/кейс

DO-204AH, DO-35, Axial

Пакет устройств поставщика

DO-35

Тип диода

Standard

Ток – средний выпрямленный (Io)

200mA (DC)

Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If

1V @ 100mA

Ток – обратная утечка @ Vr

25nA @ 20V

Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)

100V

Скорость

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Время обратного восстановления (trr)

4ns

Рабочая температура - соединение

200°C (Max)

Емкость @ Вр, Ф

4pF @ 0V, 1MHz

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 35608 PCS

Контактная информация