Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
BUK9E1R6-30E,127

BUK9E1R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
номер части
BUK9E1R6-30E,127
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
I2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
349W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
113nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
16150pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V, 10V
ВГС (Макс)
±10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34538 PCS
Контактная информация
Ключевые слова BUK9E1R6-30E,127
BUK9E1R6-30E,127 Электронные компоненты
BUK9E1R6-30E,127 Продажи
BUK9E1R6-30E,127 Поставщик
BUK9E1R6-30E,127 Распределитель
BUK9E1R6-30E,127 Таблица данных
BUK9E1R6-30E,127 Фото
BUK9E1R6-30E,127 Цена
BUK9E1R6-30E,127 Предложение
BUK9E1R6-30E,127 Низшая цена
BUK9E1R6-30E,127 Поиск
BUK9E1R6-30E,127 Покупка
BUK9E1R6-30E,127 Chip