Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PSMN8R5-108ESQ

PSMN8R5-108ESQ

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
номер части
PSMN8R5-108ESQ
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
I2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
263W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
108V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tj)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
111nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5512pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48379 PCS
Контактная информация
Ключевые слова PSMN8R5-108ESQ
PSMN8R5-108ESQ Электронные компоненты
PSMN8R5-108ESQ Продажи
PSMN8R5-108ESQ Поставщик
PSMN8R5-108ESQ Распределитель
PSMN8R5-108ESQ Таблица данных
PSMN8R5-108ESQ Фото
PSMN8R5-108ESQ Цена
PSMN8R5-108ESQ Предложение
PSMN8R5-108ESQ Низшая цена
PSMN8R5-108ESQ Поиск
PSMN8R5-108ESQ Покупка
PSMN8R5-108ESQ Chip