Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
HUF76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
номер части
HUF76609D3ST
Производитель/Бренд
Ряд
UltraFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252AA
Рассеиваемая мощность (макс.)
49W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
425pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±16V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21256 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова HUF76609D3ST
HUF76609D3ST Электронные компоненты
HUF76609D3ST Продажи
HUF76609D3ST Поставщик
HUF76609D3ST Распределитель
HUF76609D3ST Таблица данных
HUF76609D3ST Фото
HUF76609D3ST Цена
HUF76609D3ST Предложение
HUF76609D3ST Низшая цена
HUF76609D3ST Поиск
HUF76609D3ST Покупка
HUF76609D3ST Chip