Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
номер части
MMBF170LT1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.)
225mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
500mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
60pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42516 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MMBF170LT1G
MMBF170LT1G Электронные компоненты
MMBF170LT1G Продажи
MMBF170LT1G Поставщик
MMBF170LT1G Распределитель
MMBF170LT1G Таблица данных
MMBF170LT1G Фото
MMBF170LT1G Цена
MMBF170LT1G Предложение
MMBF170LT1G Низшая цена
MMBF170LT1G Поиск
MMBF170LT1G Покупка
MMBF170LT1G Chip