Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
номер части
NCV1413BDR2G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
16-SOIC
Тип транзистора
7 NPN Darlington
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Частота – переход
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25744 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G Электронные компоненты
NCV1413BDR2G Продажи
NCV1413BDR2G Поставщик
NCV1413BDR2G Распределитель
NCV1413BDR2G Таблица данных
NCV1413BDR2G Фото
NCV1413BDR2G Цена
NCV1413BDR2G Предложение
NCV1413BDR2G Низшая цена
NCV1413BDR2G Поиск
NCV1413BDR2G Покупка
NCV1413BDR2G Chip