Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NSVMUN5132T1G

NSVMUN5132T1G

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
номер части
NSVMUN5132T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SC-70, SOT-323
Мощность - Макс.
202mW
Пакет устройств поставщика
SC-70-3
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
Частота – переход
-
Резистор — база (R1)
4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36021 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NSVMUN5132T1G
NSVMUN5132T1G Электронные компоненты
NSVMUN5132T1G Продажи
NSVMUN5132T1G Поставщик
NSVMUN5132T1G Распределитель
NSVMUN5132T1G Таблица данных
NSVMUN5132T1G Фото
NSVMUN5132T1G Цена
NSVMUN5132T1G Предложение
NSVMUN5132T1G Низшая цена
NSVMUN5132T1G Поиск
NSVMUN5132T1G Покупка
NSVMUN5132T1G Chip