Купить ON Semiconductor NSVMUN5212DW1T1G TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

NSVMUN5212DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

номер части

NSVMUN5212DW1T1G

Производитель/Бренд

ON Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Мощность - Макс.

250mW

Пакет устройств поставщика

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50V

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Ток-отсечка коллектора (макс.)

500nA

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Частота – переход

Резистор — база (R1)

22 kOhms

Резистор — база эмиттера (R2)

22 kOhms

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 7779 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

NSVM1MA141WAT1G

DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3