Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EMH3T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
номер части
EMH3T2R
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.
150mW
Пакет устройств поставщика
EMT6
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Частота – переход
250MHz
Резистор — база (R1)
4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24911 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EMH3T2R
EMH3T2R Электронные компоненты
EMH3T2R Продажи
EMH3T2R Поставщик
EMH3T2R Распределитель
EMH3T2R Таблица данных
EMH3T2R Фото
EMH3T2R Цена
EMH3T2R Предложение
EMH3T2R Низшая цена
EMH3T2R Поиск
EMH3T2R Покупка
EMH3T2R Chip