Купить Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

номер части

TSM061NA03CV RGG

Производитель/Бренд

Taiwan Semiconductor Corporation

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

8-PowerWDFN

Пакет устройств поставщика

8-PDFN (3x3)

Рассеиваемая мощность (макс.)

44.6W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

66A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1136pF @ 15V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 26796 PCS

Контактная информация