Купить Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T) TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

RN1131MFV(TL3,T)

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

номер части

RN1131MFV(TL3,T)

Производитель/Бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Ряд

Статус детали

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Cut Tape (CT)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

SOT-723

Мощность - Макс.

150mW

Пакет устройств поставщика

VESM

Тип транзистора

NPN - Pre-Biased

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50V

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Ток-отсечка коллектора (макс.)

100nA (ICBO)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Частота – переход

Резистор — база (R1)

100 kOhms

Резистор — база эмиттера (R2)

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.

В наличии 20228 PCS

Контактная информация