Купить Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE,LF(CT TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

RN1906FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

номер части

RN1906FE,LF(CT

Производитель/Бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

SOT-563, SOT-666

Мощность - Макс.

100mW

Пакет устройств поставщика

ES6

Тип транзистора

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50V

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Ток-отсечка коллектора (макс.)

500nA

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Частота – переход

250MHz

Резистор — база (R1)

4.7 kOhms

Резистор — база эмиттера (R2)

47 kOhms

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 35580 PCS

Контактная информация