Купить Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50TP120N IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

VS-GB50TP120N

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

номер части

VS-GB50TP120N

Производитель/Бренд

Vishay Semiconductor Diodes Division

Ряд

Статус детали

Active

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

INT-A-PAK (3 + 4)

Мощность - Макс.

446W

Конфигурация

Half Bridge

Пакет устройств поставщика

INT-A-PAK

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100A

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200V

Ток-отсечка коллектора (макс.)

5mA

Тип БТИЗ

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Входная емкость (Cies) при Vce

4.29nF @ 25V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 30956 PCS

Контактная информация