Купить Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

VS-GT100TP60N

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

номер части

VS-GT100TP60N

Производитель/Бренд

Vishay Semiconductor Diodes Division

Ряд

Статус детали

Active

Рабочая Температура

175°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

INT-A-PAK (3 + 4)

Мощность - Макс.

417W

Конфигурация

Half Bridge

Пакет устройств поставщика

INT-A-PAK

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

160A

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

600V

Ток-отсечка коллектора (макс.)

5mA

Тип БТИЗ

Trench

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Входная емкость (Cies) при Vce

7.71nF @ 30V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 19818 PCS

Контактная информация