Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF630SPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263)
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
43nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 42924 PCS
Ключевые слова IRF630SPBF
IRF630SPBF Электронные компоненты
IRF630SPBF Продажи
IRF630SPBF Поставщик
IRF630SPBF Распределитель
IRF630SPBF Таблица данных
IRF630SPBF Фото
IRF630SPBF Цена
IRF630SPBF Предложение
IRF630SPBF Низшая цена
IRF630SPBF Поиск
IRF630SPBF Покупка
IRF630SPBF Chip