Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
номер части
IRFBE30PBF
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
78nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1300pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42308 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFBE30PBF
IRFBE30PBF Электронные компоненты
IRFBE30PBF Продажи
IRFBE30PBF Поставщик
IRFBE30PBF Распределитель
IRFBE30PBF Таблица данных
IRFBE30PBF Фото
IRFBE30PBF Цена
IRFBE30PBF Предложение
IRFBE30PBF Низшая цена
IRFBE30PBF Поиск
IRFBE30PBF Покупка
IRFBE30PBF Chip