Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFI830GPBF
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Пакет устройств поставщика
TO-220-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
38nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
610pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 39265 PCS
Ключевые слова IRFI830GPBF
IRFI830GPBF Электронные компоненты
IRFI830GPBF Продажи
IRFI830GPBF Поставщик
IRFI830GPBF Распределитель
IRFI830GPBF Таблица данных
IRFI830GPBF Фото
IRFI830GPBF Цена
IRFI830GPBF Предложение
IRFI830GPBF Низшая цена
IRFI830GPBF Поиск
IRFI830GPBF Покупка
IRFI830GPBF Chip