Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFPG50PBF

IRFPG50PBF

MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
номер части
IRFPG50PBF
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
190nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22436 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFPG50PBF
IRFPG50PBF Электронные компоненты
IRFPG50PBF Продажи
IRFPG50PBF Поставщик
IRFPG50PBF Распределитель
IRFPG50PBF Таблица данных
IRFPG50PBF Фото
IRFPG50PBF Цена
IRFPG50PBF Предложение
IRFPG50PBF Низшая цена
IRFPG50PBF Поиск
IRFPG50PBF Покупка
IRFPG50PBF Chip