Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
номер части
IRFSL11N50APBF
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
TO-262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1426pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30347 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF Электронные компоненты
IRFSL11N50APBF Продажи
IRFSL11N50APBF Поставщик
IRFSL11N50APBF Распределитель
IRFSL11N50APBF Таблица данных
IRFSL11N50APBF Фото
IRFSL11N50APBF Цена
IRFSL11N50APBF Предложение
IRFSL11N50APBF Низшая цена
IRFSL11N50APBF Поиск
IRFSL11N50APBF Покупка
IRFSL11N50APBF Chip