Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRLD120PBF

IRLD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
номер части
IRLD120PBF
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
490pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4V, 5V
ВГС (Макс)
±10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34633 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRLD120PBF
IRLD120PBF Электронные компоненты
IRLD120PBF Продажи
IRLD120PBF Поставщик
IRLD120PBF Распределитель
IRLD120PBF Таблица данных
IRLD120PBF Фото
IRLD120PBF Цена
IRLD120PBF Предложение
IRLD120PBF Низшая цена
IRLD120PBF Поиск
IRLD120PBF Покупка
IRLD120PBF Chip