Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
номер части
SI1427EDH-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика
SC-70-6 (SOT-363)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
21nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45298 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Электронные компоненты
SI1427EDH-T1-GE3 Продажи
SI1427EDH-T1-GE3 Поставщик
SI1427EDH-T1-GE3 Распределитель
SI1427EDH-T1-GE3 Таблица данных
SI1427EDH-T1-GE3 Фото
SI1427EDH-T1-GE3 Цена
SI1427EDH-T1-GE3 Предложение
SI1427EDH-T1-GE3 Низшая цена
SI1427EDH-T1-GE3 Поиск
SI1427EDH-T1-GE3 Покупка
SI1427EDH-T1-GE3 Chip