Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
номер части
SI2301CDS-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
405pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32344 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3 Электронные компоненты
SI2301CDS-T1-E3 Продажи
SI2301CDS-T1-E3 Поставщик
SI2301CDS-T1-E3 Распределитель
SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных
SI2301CDS-T1-E3 Фото
SI2301CDS-T1-E3 Цена
SI2301CDS-T1-E3 Предложение
SI2301CDS-T1-E3 Низшая цена
SI2301CDS-T1-E3 Поиск
SI2301CDS-T1-E3 Покупка
SI2301CDS-T1-E3 Chip