Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
номер части
SI2347DS-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
705pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27684 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI2347DS-T1-GE3
SI2347DS-T1-GE3 Электронные компоненты
SI2347DS-T1-GE3 Продажи
SI2347DS-T1-GE3 Поставщик
SI2347DS-T1-GE3 Распределитель
SI2347DS-T1-GE3 Таблица данных
SI2347DS-T1-GE3 Фото
SI2347DS-T1-GE3 Цена
SI2347DS-T1-GE3 Предложение
SI2347DS-T1-GE3 Низшая цена
SI2347DS-T1-GE3 Поиск
SI2347DS-T1-GE3 Покупка
SI2347DS-T1-GE3 Chip