Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
номер части
SI3430DV-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.14W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10214 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI3430DV-T1-GE3
SI3430DV-T1-GE3 Электронные компоненты
SI3430DV-T1-GE3 Продажи
SI3430DV-T1-GE3 Поставщик
SI3430DV-T1-GE3 Распределитель
SI3430DV-T1-GE3 Таблица данных
SI3430DV-T1-GE3 Фото
SI3430DV-T1-GE3 Цена
SI3430DV-T1-GE3 Предложение
SI3430DV-T1-GE3 Низшая цена
SI3430DV-T1-GE3 Поиск
SI3430DV-T1-GE3 Покупка
SI3430DV-T1-GE3 Chip