Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
номер части
SI3447BDV-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23902 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI3447BDV-T1-E3
SI3447BDV-T1-E3 Электронные компоненты
SI3447BDV-T1-E3 Продажи
SI3447BDV-T1-E3 Поставщик
SI3447BDV-T1-E3 Распределитель
SI3447BDV-T1-E3 Таблица данных
SI3447BDV-T1-E3 Фото
SI3447BDV-T1-E3 Цена
SI3447BDV-T1-E3 Предложение
SI3447BDV-T1-E3 Низшая цена
SI3447BDV-T1-E3 Поиск
SI3447BDV-T1-E3 Покупка
SI3447BDV-T1-E3 Chip